核徑跡防偽標簽的種類
2020-07-09
核徑跡技術的生產主要由三部分構成。第一是輻照，即核徑跡的組成，其是運用反應堆或加速器中所形成的高能帶電粒子照射穿透高分子塑料薄膜，在塑料膜上產生徑跡損傷；其次是局部的蝕刻成像，運用其獨特的選擇性蝕刻成像方式，在輻照過的薄膜上制成客戶所要圖案；最后是使用標識制備技術，制作成方便使用和識別的核徑跡防偽標識產品。
基本型核徑跡防偽標簽主要有以下幾種：
1、 滴水消失型防偽標簽
這種標簽的結構通常是核徑跡圖案膜＋單色彩紙。
檢驗時，要先確認標識表面有無一層塑料膜，在標識上滴上一兩滴清水抹勻，水進到核徑跡圖案膜的微孔結構當中，孔沒有了對光線的漫反射，圖案也隨之消失，原先圖案位置會出現襯底顏色；水分自然揮發后，標識恢復原狀。
將核徑跡防偽膜由標識上揭下來，在背面襯上白紙，再用彩筆在防偽標識上涂擦，在背襯的白紙上一樣會顯現出特定的防偽標識圖案，其它地方依舊空白，無彩筆涂抹痕跡。
2、 核徑跡彩印防偽標簽
這種標識的結構通常是核徑跡圖案膜＋彩印圖案。
檢驗時，使用彩筆水筆在防偽標識上涂擦殘留少量墨水，再抹勻，墨水進到核徑跡圖案膜的微孔結構當中，膜上圖案會顯示出來。撕掉表面核徑跡膜后，會看到墨水透過膜印到了下一層的彩印圖案紙上。
此類防偽標簽是綜合核徑跡彩印防偽和全息防偽兩種技術的優勢，其在防偽標識的部分區域添加上全息圖案，整個標識的結構是核徑跡膜＋彩印圖案＋局部全息。
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